专利摘要:

公开号:WO1980000712A1
申请号:PCT/CH1979/000132
申请日:1979-10-08
公开日:1980-04-17
发明作者:G Melet;E Bergmann
申请人:Battelle Memorial Institute;G Melet;E Bergmann;
IPC主号:C23C14-00
专利说明:
[0001] PROCEDE POUR DEPOSER SUR DES SUBSTRATS, PAR PULVERISATION CATHODIQUE, UN REVETEMENT AOTO-LUBRIFIANT DE CHALCOGENURES METALLIQUES, REVΕTEMENT OBTENU PAR CE EROCEDE ET COMPOSITION PULVERISABLE POUR METTRE CELUI-CI EN OEUVRE.
[0002] Domaine technique La présente invention a pour objets un procédé utilisable pour revêtir des Substrats, par pulvérisation cathodique, d'une couche auto-lubrifiante de chalcogénures métailiques, une composition pour la mise en oeuvre de ce procédé et le revêtement auto-lubrifiant résultant de la mise en oeuvre de ce procédé.
[0003] Par chalcogénures métalliques, on entend ici des sulfures, séléniures et tellurures métalliques, notamment de Mo, W, Nb, V, Zr, Ti et Ta dont la structure habituellement cristalline et lamellaire permet la oonstitution de couches à faible coefficient de friction utilisables pour revêtir des Pièces métalliques en frottement à sec, en faciliter le glissement et en diminuer l'usure. Technique anterieure
[0004] Le dépôt, par pulvérisation cathodique, de couches anti-friction de sulfure de molybdène est deja connu. Ainsi Spalvins (ASLE Transactions 14, [ 4] , 261-27 A (1971); NASA TM X-71742 (1975) décrit le dépôt de telles couches sur des surfaces métalliques à haut degré de polissage (5 × 10-2μm) en utilisant la technique connue sous le ncm de pulvérisation à radio-fréquence et Polarisation DC. Spalvins a utilisé une cible de MoS2 pur et travaillé dans des conditions permettant d'obtenir sur différents Substrats (Ni, Au, Ag, Co, Mo, W, Ti, AI, des aciers, le verre et certaines résines synthétiques) des dépôts adhérents amorphes ou microeristallins auto-lubrifiants, à la vitesse d'énviron 0,015 μm à la minute. De tels films présentaient des coefficients de friction (mesurés dans le vide poussé grâce au dispositif "disque et bille" decrit plus loin) de l'ordre de 0,03 à 0,04 pour des épaisseurs de 0,2 à 0,65 μm. Cependant, ce procédé présente certains inconvenients. Ainsi, à cause de sa faible efficacite, il ne permet guere d'obtenir des dépots dont l'épaisseur dépasse sensiblement 0,5 à 1μm et il a tendance former des excroissances de MoS2 sur les inégalités des Substrats, ce qui nécessite, pour l'obtention de revêtements antifriction utilisables industriellement, que les Substrats à plaquer soient tres hautement polis. De plus, la structure des dépots ne présente pas des qualites tres favorables de résistance à l'usure surtout lorsqu'il fait humide. Finalement, et ceci pour une raison inconnue, les dépots obtenus par la methode Spalvins n'adhérent pas au cuivre et au bronze, ce qui est un inconvénient grave dans le cas de revêtements anti-friction destinés à des paliers ou des Pièces de micro-mécanique souvent fabriquées en laiton ou en bronze.
[0005] Expose de l'invention
[0006] Le procédé de l'invention remédie à ces inconvénents; il est caractérisé par le fait que l'espace cathodique de la cible (c'està-dire la région où se produisent les phénoménes engendrant la formation des ions responsables de la pulvérisa tion) est soumise à un champ magnétique, que la distance entre cette cible et le Substrat à revêtir correspond au libre parcours moyen des fragments pulvérises de la cible (en général, de 1,5 à 7 mm suivant les pressions de pulvérisation qui peuvent varier, le plus souvent, entre 2.10-3 et 8.10-4 Torr) et gue la densite du courant de pulverisation est teile que la vitesse de dépôt, sur la surface du Substrat faisant face à la cible, soit d'au moins 0,1 MB par minute. Dans ces conditions, le dépôt est regulier et il n'est plus besoin de se préoccuper particulièrement de l'état de surface du substrat avant revêtement. Bien au contraire, on a constaté qu'une certaine rugosite du substrat favorise l'adhérence des présents dépots autolubrifiants. Par ailleurs, la composition des revêtements obtenus par pulvérisation cathodique ne reproduit pas fidélement, en général, celle du matériau de la cible et, le plus souvent, les dépôts de MoS2 obtenus à partir de MoS2 pulvérisé sont souvent déficients en soufre et riches en molybdène ou vice versa et leurs propriétés physiques peuvent en être affectées.
[0007] La composition de pulvérisation de l'invention remédie à ces inconvénients.
[0008] Cette composition est caractérisée par le fait qu'elle comprend, en mélange avec le ou les chalcogénures métalliques à deposer, un excés d'au moins un des composants métalliques ou métalloϊdiques de celui-ci ou de ceux-ci à l'état élémentaire, le tout sous forme d'une poudre à l'état compacté logée dans le réceptacle cathodique du dispositif de pulvérisation en constituant la cible de celui-ci.
[0009] Meilleures manières de réaliser l'invention
[0010] Le contenu en chalcogéne ou en métal libre de la présente composition à pulvériser cathodiquement peut être très variable suivant les besoins, ceux-ci étant, bien entendu, fonction des conditions de fonctionnement de la pièce traitée. Par exemple, dans le cas de sulfure de molybdène, la composition peut contenir, sous forme de mélange de poudres, du MoS2 pur avec de 0,001 % à quelques pourcents de soufre ou de molybdène élémentaires, la quantite exacte de ces éléments dépendant des conditions opératoires de la pulvérisation et de la composition déterminée du dépôt qu'on desire obtenir (dépôt pauvre en soufre, ou correspondant stoechiométriquement à la formule MoS2 ou riche en soufre). On verra plus loin, dans la partie speciale de la présente description, qu'on a pu établir une relation précise entre la composition de la cible et celle du dépôt des autres chalcogénures et de leurs mélanges avec un ou plusieurs chalcogènes libres. Ainsi, par exemple, le procédé convient pour déposer des couches mixtes de sulfure et séléniure de molybdène pouvant contenir un excès de soufre, de selenium ou de ces deux métalloϊdes.
[0011] Dans le procédé de l'invention, le champ magnétique auquel est soumis l'espace cathodique peut être fourni par un aimant permanent faisant partie du support cathodique (dispositif "cathode magnetron" decrit, par exemple, dans la publication suivante .: Catalogue VIDE 1976, la Physique Appliquée Industrie, 16 rue AndreAmpère, 700-95004 Cergy, France). Par ailleurs, le dispositif de pulvérisation cathodique permettant de mettre en oeuvre le présent procédé peut être un appareil commercial quelconque possedant les caractéristiques adéquates. A ce titre, on peut citer l'appareil "S-GUN thin film source" de la Société VARIAN, Palo-Alto, Californie.
[0012] On ne connait pas exactement les raisons pour lesquelles le présent procédé ne donne pas lieu à la formation d'excroissances comme dans le cas des procédés anterieurs. On pense cependant que cet effet est en rapport avec la vitesse de dépôt qui est trés supérieure à celle des anciens procédés.
[0013] Pour réaliser de telles vitesses de dépôts, on opere avantageusement sous une tension cathodique de 400 à 800 volt et sous une densite de courant cathodique de 5 à 20 mA/cm2. le champ magnétique etant de l'ordre de 45 à 100·103 A/m. Pour préparer la composition de l'invention sous sa forme de cible pour pulvérisation cathodique on mélange, par exemple dans le cas d'un produit riche en chalcogéne, le chalcogénure en poudre avec le chalcogéne également en poudre, on remplit la zone evidée appropriée de la cathode de ce mélange et on soumet le tout à une forte pression, par exemple de l'ordre de 0,5 à 1 T/cm2, de manière que la poudre se prenne en bloc.
[0014] Pour la mise en oeuvre pratique du présent procédé on procédé avantageusement comme suit : On séléctionne les Pièces à piaquer (celles-ci peuvent être des plaquettes échantillon ou des Pièces de mécanique), on les décape mécaniquement et on les nettoie par un procédé habituel et on les dispose sur le porte-substrat d'un appareil de pulvérisation cathodique. Eventuellement, on masque les zones des Pièces ne devant pas être plaquées (par un ecran, une epargne ou par l'emploi d'un porte-objet ajoure). On fixe le porte-cible contenant la présente composition pressée sur le support de cathode, on ferme l'appareil et on y fait le vide. Puis on introduit un gaz rare (Ar, Kr, Xe) sous une pression de l'ordre de 10-2 Torr, on met l'appareil sous tension et on procède à un décapage ionique prélirninaire des Substrats en polarisant ceuxci de maniére appropriée. Puis on abaisse la pression entre environ 2·10-3 et 8·10-4 Torr, on polarise la cathode sous une tension comprise entre les valeurs de tensions ci-dessus et on commence la pulvérisation proprement dite, l'operation de decapage n'etant arretée qu'apres coup pour eviter que les impurétés arrachées lors du decapage ne se redéposent sur les Pièces au debut de l'operation de pulvérisation. On continue le dépôt jusqu'a obtention d'un film d'une epaisseur d'environ 0,2 à 3μm, des epaisseurs de l'ordre de 1,5 m étant les plus favorables au point de vue lubrification. On peut effectuer ces dépôts a diverses temperatures en chauffant les Substrats au moyen d'une resistance incorporée au porte-objet. On prefere cependant travailler à temperature ordinaire, les dépôts obtenus dans ces conditions ayant une structure cristalline satisfaisante pour l'usage prevu.
[0015] La nature de la matière des Substrats peut être quelconque. Dans la pratique, on a revetu, par le présent procédé, des Pièces de laiton, cuivre, differents aciers, or, nickel, manifor (un alliage Mn-Ni-Cu) , etc., sans constater de différences notables dans les propriétés des dépots en fonction du substrat.
[0016] Les revêtements auto-lubrifiants qu'on obtient suivant le procede de l'invention sont, soit micro-cristallins lamellaires comme le MoSe2, Soit amorphe comme le MoTe2 et le TaSe2, soit "turbostratique" comme NbSe2, MoS2 et Ws2. La forme turbostratique, definie plus loin, constitue une forme de dépôt auto-lubrifiant particulierement intéressante à cause de sa remarquable résistance à l'-abrasion, la longue durée de vie des Pièces en frottement qui en sont munies, et à son indifference aux conditions climatiques exterieures, notairrnent à l'humidite ambiante.
[0017] La morphologie "turbostratique", qui peut être decelée par les spectres de diffraction aux rayons X (presence d'un pic unique d'indice 002, alors que l'état lamellaire cristallin se distingue par la présence de plusieurs pics, par exemple, 110, 105, 103, 100, 002 et l'état amorphe par une absence de pics), est definie par les inventeurs de la manière suivante : "ETATS DE CRISTALLISATION :
[0018] Dans les substances courantes comme les métaux ou les ceramiques, la cristallinite peut varier du monocristal, passant par les états polycristallins de plus en plus fins, jusqu'a l'état dit "amorphe". Ces états sont plus ou moins isotropiques, c'est-a-dire avec des propriétés à peu pres uniformes dans toutes les directions Dans une structure lamellaire en couches (structure feuilletée), comme le MoS2, le graphite, le mica, etc., les propriétés sont tres anisotropiques des le debut. A l'interieur des "feuilles" (nous appelons ici "feuille" une couche cristalline d'une epaisseur ironαroleculaire) le type des liaisons est covalent et entre les feuilles du type Van der Waals, ce qui rend ces substances facilement clivables. Ainsi, les états de cristallisation sont differents de ceux mentionnés ci-dessus. Ici, un monocristal est effectivement une pile de monocristaux de deux dimensions. Dans une serie avec une decroissance du degre de cristallisation, c'est d'une part la dimension laterale des feuilles et d'autre part la coordination relative de l'orientation des differentes feuilles (ou petits paquets de feuilles) qui diminuent. Ce stade est appele un état "turbostratique". Les normales de toutes les feuilles sont pratiquement paralleles, mais la rotation autour de cette normale est arbitraire. Alors, même dans un état de faible cristallisation la couche du dépôt entier est fortement anisotropique. La cristallisation peut se degrader jusqu'a un état "amorphe" pratiquement isotropique ou tout ce qui reste de feuilles a la dimension d'un petit amas d'atomes". L'état "turbostratique" est egalement defini par W. BOLLMANN dans Electron Microscope Study of Radiation Damages in Graphite, J. Appl. Physics 32, 869-876 (1961).
[0019] Les exemples qui suivent illustrent l'invention en détail. Pour une meilleure compréhension des exemples on se référera au dessin en annexe.
[0020] Applications Industrielles
[0021] La figure 1 est un schéma d'une installation de pulvérisation cathodique.
[0022] La figure 2 est un graphique montrant la relation entre le pourcentage de soufre des compositions, suivant l'invention, pour le dépôt du MoS2 et celui desdits dépots obtenus par pulvérisation cathodique.
[0023] La figure 3 est un graphique montrant la Variation du coefficient de friction η de deux dépôts de MoS2 en fonction du temps de frottement.
[0024] La figure 4 est un graphique du même type que celui de la figure 3. La figure 5 est un graphique montrant la Variation du coefficient de friction en fonction de l'épaisseur du dépôt et suivant l'état de préparation de surface du substrat avant revêtement.
[0025] Exemple 1 On prépare 3 poudres A, B et C destinées à constituer les cibles d'un appareil de pulvérisation cathodique de la maniére suivante :
[0026] A : On utilise 20 g de sulfure de molybdène (MERCK, qualite puriss.) dont l'analyse indique qu'elle contient 61,96 % de Mo et 38,03 % de S, d'autres éléments n'étant pas decelables par les moyens d'analyse utilisés (gravimetrie). En fait, cette composition ne correspond pas exactement à du MoS2 pur (lequel devrait contenir 59,94 % de Mo et 40,06 % de S), mais plutôt à un sulfure de molybdène contenant un leger excès de métal libre (formule calculée Mo1,089S2).
[0027] B : A un autre lot de 20 g du sulfure de molybdène constituant la composition A ci-dessus, on ajoute 1,74 g de soufre pur (FLUKA) de maniere à porter la concentration en soufre du tout à 43 %.
[0028] C : On procédé de même avec un troisieme lot et on ajoute 4,08 g de S à 20 g du sulfure de molybdène (MERCK) de maniere a porter la concentration en soufre à 48,5 %.
[0029] On passe les trois compositions dans un broyeur-irelangeur de fagon à realiser des poudres fines intimêment melangées.
[0030] Puis on introduit la poudre A dans la cavite d'un disque portecible d'un appareil de pulvérisation cathodique (plaque en A1 ou en anti-corrodal de 5 mm d'épaisseur munie d'une creusure circulaire de 60 mm de diamêtre et de 2 mm de profondeur). On tasse bien la poudre en la regularisant et, apres avoir intercale une rondelle de papier anti-adherant, on la soumet à une pression de 0,6 T/cm2 produite par le piston d'une presse hydraulique. Après quelques secondes on obtient ainsi un gäteau homogene et solide de poudre compactée.
[0031] Par ailleurs, on selectionne un certain nombre de plaquetteséchantillon s'adaptant au porte-substrat de 1'appareil de pulvérisation cathodique. Ces plaquettes, rectangles de 40 × 20 × 1 mm ou disques ∅ 17 mm, épaisseur 1,4 mm, sont choisies en cuivre, laiton, bronze, fer, nickel, manifor et sont placées dans ledit porte substrat de manière à recevoir un dépôt par pulvérisation. Pour la preparation de surface de ces plaquettes, on a utilise les methodes suivantes :
[0032] Polissage 1 (P-1) : Polissage grossier avec une bande abrasive de 125 μm
[0033] Polissage 2 (P-2) : Polissage plus fin avec une pate de 15μm
[0034] Polissage 3 (P-3) : Polissage fin avec une pate finale de 0,25μm.
[0035] Après le polissage les plaquettes ont été décapées mecaniquement, puis degraissées dans le trichloréthylène chaud (5 min.) puis rincées à l'alcool et sechées.
[0036] L'appareil de pulvérisation cathodique utilisé est represente schematiquement à la figure 1. Cet appareil comprend une enceinte 1 etanche contenant d'une part un porte-substrat 2 et une cathode 3. Cette cathode comprend, en tant qu'organes essentiels (les seuls représentes ici) un aimant 4, une plaque porte-cible 5 dans laquelle est menagée une creusure 6 remplie de la poudre compactée à pulvériser comme on l'a vu plus haut et, pour refroidir le tout, une circulation 7 de liquide refrigerant, par exemple H Q. Le présent appareil est alimente par deux sources de haute tension, l'une 8 pour la Polarisation de la cathode et l'autre 9, pour polariser les Substrats pendant le decapage ionique préliminaire.
[0037] Finälement, en ce qui concerne l'alimentation en gaz rare d'ionisation, le présent appareil comprend encore une jauge de lecture des pressions 10 et un dispositif auto-regulateur de ladite pression compose d'une jauge de commande 11, pilotant un régulateur electronique 12, celui-ci agissant sur une vanne 13 d'entrée du gaz (par exemple Ar) de maniere à maintenir à une valeur constante et predéterminée la pression de ce gaz pendant la pulvérisation. Par ailleurs, l'appareil comprend encore un conduit d'évacuation 14 relié à la pompe à vide non représentée.
[0038] A titre indicatif, les organes fonctionnels du présent appareil ont été choisis parmi les produits commerciaux suivants :
[0039] Alimentation HT (8) : 0 à 2,4 KV, courant jusqu'a 400 mA. Alimentation HT (9) : Generateur VOTTMER 0-2000 V, courant jusqu'a 30 mA, séparée du porte-substrat par 100 kΩ.
[0040] Jauge (10) : Jauge thermocouples HASTINGS DV6-M Jauge (11) : PIRANI BALZERS NV4
[0041] Régulateur (12) : Coffret de contrôle BALZERS RVG2
[0042] Vanne (13) : BALZERS RV27E
[0043] Après avoir disposé les plaquettes sur le porte-substrat 2, on fixe le porte-cible contenant la poudre A pressée sur la cathode.3 et on règle la distance entre celle-ci et le substrat de maniere qu'elle corresponde au libre parcours moyen de particules du matériau pulvérisé, c'est-à-dire environ 3 à 6 mm dans les conditions opératoires du présent Exemple. On ferme l'appareil et on y fait le vide (10-5 - 10-6 Torr) avec une pompe a diffusion de type BALZERS PST 900A.
[0044] Puis, par l'entremise de la vanne 13 on introduit de l'argon à 99,9 % provenant d'un cylindre et on règle la pression à 5-10-2 Torr. On polarise le porte-objet et on procède pendant 6 min au décapage ionique des plaquettes de substrat sous un courant de 2mA. Puis, sans arrétér le courant de décapage, on règle la pression d'argon à 2 × 10-3 Torr, on enclenche le courant de pulvérisation de maniere que les deux effets se superposent, ceci pour eviter une retombée des produits de decapage sur le substrat. Après quelques secondes on coupe le circuit de décapage et on laisse le dépôt se poursuivre sous 7 mA/cm2 de cible, ce qui donne une vitesse de dépôt de 0,1 μm/min.
[0045] Lorsqu'on estime qu'il s'est déposé environ 1,5 à 1,8 μm de produit auto-lubrifiant, on arrété l'operation et on retire les plaquettes de l'appareil afin de les soumettre aux analyses et aux tests de friction et on répète la même Opération sur d'autres Substrats en utilisant successivement comme cibles les compositions B et C.
[0046] Puis on recommence le tout avec d'autrs plaquettes en laissant la pulvérisation s'effectuer pendant des periodes différentes, de maniere à obtenir toute une gamme d'échantillons de matières diverses, recouverts de films de compositions et d'épaisseurs differentes et déposes sur des surfaces de finitions différentes.
[0047] Les compositions chimiques des dépôts ont été analysées et portées sur un graphique en fonction de celles des poudres correspondantes ayant servi de cible (voir fig. 2). On constate, d'après ce graphique, qu'il existe, dans les conditions operatoires precitées, une relation pratiquement linéaire entre la composition des mélanges de départ et celle des revêtements. On voit aussi qu'ä une composition pulvérisable contenant 42,8 % de S correspond un dépôt contenant 40,06 % de soufre (quantité stoechiométrique correspondant a la formule MoS2) .
[0048] Les tests de friction auxquels ont été ensuite soumis ces echantillons sont les suivants :
[0049] I. Test de "disque et bille" : L'appareil utilise pour cet essai, dont une forme est decrite dans ASLE transactions 14, [4], 267-274, comprend un disque support sur lequel on monte l'echantillon à tester sous forme d'une plaquette de forme circulaire contre laquelle applique une butée à bille dont la pression contre l'échantillon est réglable et qui comporte un jeu de jauges de contrainte permettant de mesurer la force de frottement entre la bille et l'échantillon. Le disque étant mis en rotation à une vitesse détérminée, on note le nombre de tours ou le temps necessaire pour ercder le dépôt (c'est-à-dire provoquer une augmentation notable de la friction) sous une pression détérminée de la bille. Pour les présents tests "disque et bille" on a utilise les paramêtres suivants :
[0050] Bille ∅ 0,7 mm, acier ou rubis synthétique; vitesse de deplacement 1 cm/sec; Charge 56 kg/mm2; pression et température ambiante.
[0051] II. Pendule de Barker : Ce pendule est constitué d'un balancier métallique rigide muni d'un poids reglable et dont l'organe de pivotement (une rotule spherique) repose entre deux surfaces planes disposées en V, l'angle de celui-ci etant de 90°. Pour la mesure, on place les revêtements à tester sur les surfaces du V en contact avec la rotule, on déplace le bras du pendule de sa position d'équilibre d'un angle détérmine par une échelle graduée, on le libère afin qu'il entre en balancement et, apres un nombre détérminé de période, on lit la valeur de l'amplitude du dernier balancement. Le coefficient de friction η est lie aux paramètres ci- dessus par la relation suivante : Ao = amplitude initiale; Af = amplitude finale; N = nombre de battements; k = coefficient dépendant du poids du pendule. Dans le cas d'espece k = 0,0735 (poids de 1 kg).
[0052] L'épaisseur des dépôts a été mesurée par interférométrie suivant les moyens habituels et, plus spécialement, par la méthode "TALYSURF". Pour l'application de cette methode, on utilise un comparateur enregistreur dont le curseur se déplace linéairement sur la surface à étudier et qui enregistre (en les amplifiant fortement) les differences de niveaux rencontres par ce curseur. Pour pouvoir mesurer l'épaisseur d'un dépôt, on applique prealablement sur le substrat, avant revêtement, un fil métallique qui, une fois le film dépose, laisse apres arrachage une trace dont la profondeur correspond à l'epaisseur à mesurer.
[0053] Les resultats des tests ci-dessus sur les differents échantillons de placage prepares suivant le présent exemple ont permis de mettre en relation les qualites auto-lubrifiantes des depôts de sulfure de molybdène "turbostratiques" avec les variables suivantes : l'état de surface du substrat, l'epaisseur du dépôt et la composition de celui-ci. Ainsi à la figure 3, on a porte la Variation du coefficient de friction avec le temps suivant le test "disque et bille" d'un revêtement A de 1 μm (obtenu à partir de la composition A ci-dessus) et d'un revêtement C de 1,1 μm (obtenu à partir de la composition C) sur un substrat d'acier finement poli (methode P-3). On constate que, dans ce test, le revêtement A pauvre en soufre garde ses propriétés auto-lubrifiantes ( > 6000 h) plus longtemps que le revêtement C riche en soufre (~ 100 h). On a, par ailleurs, fait subir un traitement comparable à des revêtements d'épaisseur comparable obtenu par les moyens classiques (voir, par exemple les méthodes de dépôt par pulvérisation décrites dans les deux premières références citées dans l'introduction et, également la référence suivante : G. ROCHAT et al.;" Lubrification solide de mobiles micromecaniques, L.S.R.H. Conference No F 2·6, CIC, Geneve, 1979) et. on a constate que la resistance de tels dépôts à l'usure etait considerablernent inférieure à celle des dépôts turbostratiques de l'invention. En effet, les revêtements auto-lubrifiants classiques perdaient leurs propriétés apres une période de l'ordre de 120 à 150 h seulement.
[0054] Cependant, pour deux revêtements identiques déposes sur laiton (polissage P-3) , on a constaté que la composition C donnait un revêtement plus glissant que la composition A. Cet état de chose est illustré par la figure 4 ou on a porté la Variation de η en fonction du nombre de cycles dans le test du pendule de Barker (courbe pointillée = resultats obtenus sur le revêtement A; courbe pleine = resultats obtenus sur le revêtement C).
[0055] Par ailleurs, sur le graphique représenté à la figure 5, on a porté les variations du coefficient de friction (obtenu par les test du pendule de Barker) en fonction de l'epaisseur en μm du depôt (composition C) sur acier Sandvik 17 AP et ceci pour des Substrats polis suivant les methodes decrites plus haut (P-1 = courbe mixte; P-2 = courbe pleine et P-3 = courbe pointillée). On constate avec surprise que les revêtements les plus glissants sont obtenus sur les Substrats les plus rugueux. Par ailleurs, l'epaisseur des dépôts conduisant au η minimum est de l'ordre de 1 à 1,5μm. Exemple 2
[0056] On a sélectionne un lot de roues d'échappement de mouvements d'horlogerie qu'on a empilées les unes sur les autres en faisant coϊncider leur trou central de maniére à obtenir un bloc cylindrique perce axialement. Par l'entremise de ce trou central, on a monte ce bloc sur l'axe d'un dispositif de mise en rotation, les faces planes du cylindre etant masquée, de part et d'autre, par des bagues de serrage en matiere plastique. Le dispositif rotatif, mis en mouvement de l'exterieur par l'entremise d'une transmission à joints étanches a été place en guise de porte-substrat dans un appareil de pulvérisation cathodique similaire à celui decrit à l'Exemple 1. Le dépôt de matiere auto-lubrifiante etant destine à recouvrir la partie externe des dents des roues d'échappement (la zone frappée par l'ancre du mouvement) celles-ci ont subi, auparavant, un traitement de polissage fin tel que decrit à l'exemple precedent. Dans certains cas, le polissage roecanique a été remplace par un polissage electrolytique. Après polissage, les Pièces ont été dégraissées et nettoyées comme decrit à l'Exemple 1. Pour les dépôts on a utilisé des cibles de composition semblable a la composition C de l'Exemple 1 donnant des dépôts relativement riches en soufre et à des epaisseurs de 1 à 1,5μm.
[0057] Les roues une fois revêtues ont été utilisées pour le montage de mouvements d'horlogerie et ces mouvements ont été testés sur un ampliscope GREINER permettant de détérminer l'amplitude des mouvements de l'axe du balancier. La grandeur de cette amplitude est en effet une mesure de la qualite lubrifiante des dents de l'echappement. On a constate que, dans tous les cas, les propriétés auto-lubrifiantes des revêtements obtenus suivant l'invention etaient superieures à celles des dépôts similaires obtenus par les moyens habituels, notamment par aspersion des surfaces frottantes par une dispersion de MoS2 dans un solvant volatil ou dépôt par pulverisation suivant la technique de Spalvins (voir référence citée dans l'introduction).
[0058] On notera que les revêtements auto-lubrifiants suivant l'invention sont egalement utiles sur d'autres Pièces de mècanique et notamment les Pièces hörlogeres en rotation, animées de mouvements d'oscillation ou subissant des efforts de frottement et/ou de percussion, telles que, par exemple, des éléments d'échappement, engrenages, roues, pivots, axes, paliers, cliquets, etc. Exemple 3
[0059] On a déposé, sous 2·10-3 Torr d'argon et une densite de courant 7 mA/cm2 une série de chalcogénures métalliques dont la liste figure au Tableau ci-dessous. Les produits utilises etaient des chalcogénures commerciaux qu'on a simplement seches à l'air Sans autre purification. Les tensions cathodiques et les rendements de placage sont egalement donnes au Tableau. Les propriétés de lubrification des dépôts obtenus (env. 1 μm) sur acier ont été testés au Pendule de Baxter, les coefficients de friction moyens figurentégalement au Tableau ci-dessous. TABLEAU
[0060] Tension ca- Rendement Coefficient
[0061] Dépôt thodique V g/cm2.min (×10-5) de friction
[0062] WS2 820 7,12 0,2 - 0,4
[0063] MoSe2 620 9,6 0,08 - 0,15
[0064] MoTe2 620 12,9 0,3 inutilisable
[0065] NbSe2 670 6,3 0,1
[0066] TaSe2 720 7,6 non mesurable, non lubrifiant
[0067] MoS2 720 5,19 0,1
权利要求:
ClaimsREVENDICATIONS
1. Procédé pour déposer, par pulvérisation cathodique, un revétément auto-lubrifiant de chalcogénure métallique suivant lequel on projette sur une cible de matiere à pulvériser, comprenant un ou plusieurs chalcogénures en mélange, des ions fournis par une decharge cathodique developpée au voisinage immediat de ladite cible et en atmosphere de gaz rarefie, les matieres ainsi arrachées à la cible se déposant sur un substrat place en regard de ladite cible, caracterise par le fait qu'on soumet l'espace cathodique de ladite cible à un champ magnetique, qu'on règle la distance entre la cible et ledit substrat de maniere qu'elle corresponde approximativement au libre parcours moyen des molécules arrachées à la cible et que la densite du courant de pulvérisation est teile que la vitesse de dépôt, sur la surface du substrat en regard de la cible, soit d'au moins 0,1 μm/min.
2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le champ magnétique est de 45 à 100·103 A/m, que ladite distance entre la cible et le substrat est de 1,5 à 7 mm et que la tension cathodique nécessaire à produire ledit courant est de 400 à 800V.
3. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que le chalcogénure métallique est choisi parmi les sulfures, seleniures et tellurures de Mo, W, Nb, V, Zr, Ti, Ta.
4. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé par le fait que le chalcogénure métallique est choisi parmi MoS2 WS2 MoSe2 MoTe2, NbSe2 et TaSe2.
5. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que, prealablement au dépôt, on soumet les Substrats devant être revetus à un traitement de décapage mécanique.
6. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait que, préalablement à la mise en action de la pulvérisation proprement dite, on soumet le substrat à un traitement de décapage ionique d'une durée de 1 - 4 min.
7. Revêtement auto-lubrifiant de chalcogénure métallique caracterise par le fait que sa structure est de type turbostratique dont la durabilite, lorsqu'il est soumis au frottement à sec, est considerable.
8. Revêtement suivant la revendication 7, caractérisé par le fait que le chalcogénure turbostratique est le NbS2 , le MoS2, le WS2 et leurs mélanges.
9. Revêtement suivant la revendication 7, caractérisé par le fa e son epaisseur est de 0,5 à 3M.
10. Composition à pulvériser pour déposer une couche auto-lubrifiante de chalcogénures métalliques, caractérisée par le fait qu'elle comprend, en mélange avec le ou les chalcogénures métalliques à déposer, un exces d'au moins un des composants iretalliques ou métalloϊdiques de celui-ci ou de ceux-ci à l'état élémentaire, le tout sous forme d'une poudre à l'état compacté logée dans le réceptacle cathodique du dispositif de pulvérisation et constituant la cible de celui-ci.
11. Composition suivant la revendication 10, caractérisée par le fait que le ou les chalcogénures métalliques sont de formules MoS2, WS2, MoSe2, MoTe2, NbSe2, ou TaSe2.
12. Composition suivant la revendication 10, pour déposer une couche de bisulfure de molybdène dont le contenu en soufre est compris entre 38 et 50 %, le reste etant le molybdène, et permettant d'obtenir des dépots contenant de 35 à 48 % de soufre.
13. Composition suivant la revendication 12, caractérisé par le fait qu'elle contient 42,8 % de soufre et que le dépôt qu'on en obtient contient 40,06 % de soufre, ce qui correspond à la stoechiometrie de la formule MoS„.
14. Pièces de roecanique recouvertes d'un dépôt auto-lubrifiant de chalcogénure métallique suivant le procédé de la revendication 1.
15. Pièces suivant la revendication 14, caractérisées par le fait que le chalcogénure du revêtement est soit du bisulfure de molybdène, soit du biséléniure de molybdène, soit un mélange de ces deux composants.
16. Pièces suivant la revendication 14, caractérisées par le fait qu'elles sont constituées de roues d'échappement de mouvement d'horlogerie dont au moins une zone de la surface des dents est recouverte d'un dépôt de MoS2 turbostratique.
17. Pièces suivant la revendication 14, caractérisées par le fait qu' elles sont constituées par des pièces horlogeres en rotation, en oscillation ou subissant des efforts de frottement et/ou de percussion, notamment des éléments d'échappement, engrenages, roues, pivots, axes, paliers, cliquets.
18. Pièces revêtues d'un dépôt auto-lubrifiant de structure turbostratique possédant une grande résistance à l'usure lorsqu'il est en frottement à sec.
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引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
法律状态:
1980-04-17| AK| Designated states|Designated state(s): CH JP US |
优先权:
申请号 | 申请日 | 专利标题
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